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Transistor MOSFET SGH40N60UFD TO-247 – Si Tai SH Potencia

Transistor MOSFET SGH40N60UFD TO-247 – Si Tai SH Potencia
Transistor MOSFET SGH40N60UFD TO-247 – Si Tai SH Potencia - imagen 1
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En Stock
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Última actualización: 28 de octubre de 2026

Descripción

CaracterísticaDetalle
ReferenciaSGH40N60UFD
Referencias equivalentes citadasSGH40N60, 40N60, G40N60, F40N60UFD
Tipo de dispositivoTransistor de potencia IGBT, canal N
Clase de tensión600 V (según la nomenclatura 40N60)
Corriente de trabajo40 A (según la nomenclatura 40N60)
EncapsuladoTO-247; la ficha menciona también TO-3P
Terminales3 patillas con lengüeta metálica posterior
MontajeA través de orificio (through-hole) sobre disipador
Contenido1 unidad
MarcaSi Tai & SH

Visto en: Electronic Components & Supplies , Active Components

Análisis de Experto

Experto verificado
Lucía Martínez Gómez
Lucía Martínez Gómez Especialista en portátiles, tablets y All-in-One (AIO) Publicado: 22 de octubre de 2026

Análisis general del producto

El SGH40N60UFD es un IGBT de canal N pensado para etapas de potencia, no un componente para conectar directamente a una carga sin circuito de control. Su clase de tensión es de 600 V y la corriente nominal indicada es de 40 A; son valores máximos que dependen de las condiciones térmicas y eléctricas fijadas en la hoja técnica, no una garantía de funcionamiento continuo a esa corriente en cualquier montaje. La serie UFD se orienta a conmutación rápida y combina el IGBT con un diodo de recuperación rápida, una configuración útil en inversores y control de motores. La documentación localizada atribuye a esta familia una caída VCE(sat) de 2,1 V a 20 A y un tiempo típico de recuperación inversa de 42 ns

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