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SAMSUNG-unidad de estado sólido SSD 850 EVO 2TB, para ordenador portátil y de escritorio, 2,5 pulgadas, SATA III, MZ-75E2T0, auténtico, usado

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Nota: Se utiliza con 100% funcionando bien y sin incluir el paquete al por menor.


Hoy Samsung ha lanzado la última incorporación a su línea 850 EVO SSD, el 850 EVO SSD 2TB. La línea 850 EVO SSD está diseñada más para la computación diaria. Al igual que su contraparte PRO, El EVO utiliza el 3D de 32 capas de Samsung, MLC de 2 bits/MLC de 3 bits. A diferencia del PRO, El EVO está dirigido más a los usuarios de ordenadores convencionales y menos a los entusiastas. Samsung afirma que su V-NAND 3D le da hasta dos veces la densidad y el rendimiento de velocidad de escritura de otras unidades. La unidad tiene 2GB de memoria caché LPDDR2DRAM, interfaz SATA 6 Gb/s y viene con una garantía de 5 años.


Los datos siguen creciendo y los usuarios buscan formas de ampliar sus capacidades sin sacrificar el rendimiento. Los SSD proporcionan el mejor rendimiento, pero todas las versiones de consumo llegaban a 1TB, hasta ahora. El 850 EVO 2TB de Samsung tiene como objetivo conservar todas las excelentes características que la línea ya ha mostrado (gran rendimiento, bajo consumo de energía y cifrado de disco completo) y ahora tiene el doble de capacidad. El 850 EVO ha estado cerca de la cima de nuestra tabla de clasificación durante algún tiempo, suponiendo que pueda mantener o superar el rendimiento de las unidades de menor capacidad.

Al igual que las otras unidades de la línea, el 850 EVO 2TB viene con una garantía de 5 años.

Samsung 850 EVO Especificaciones (2TB)

  • Capacidades: 120GB, 250GB, 500GB, 1TB, 2TB

  • Dimensiones (LxWxH): 100x69,85x6,8 (mm)

  • Interfaz: SATA 6 Gb/s (compatible con SATA 3 Gb/s y SATA 1,5 Gb/s)

  • Factor de forma: 2,5 pulgadas

  • Controlador: Controlador Samsung MHX

  • Memoria flash NAND: Samsung 3D, 3 bits, MLC, 2, 2, 2, 3

  • Memoria caché DRAM: 2GB

  • Rendimiento
    • Lectura secuencial: máx. 540 MB/s

    • Escritura secuencial: máx. 520 MB/s

    • 4KB lectura aleatoria (QD1): máx. 40.000 IOPS

    • Escritura aleatoria de 4KB (QD1): máx. 98.000 IOPS

    • Lectura aleatoria de 4KB (QD32): máx. 90.000 IOPS 2TB

    • Escritura aleatoria de 4KB (QD32): máx. 90.000 IOPS(120GB/250GB)

  • Seguridad de los datos: Cifrado de disco completo AES de 256 bits (FDE) TCG/Opal V2.0, unidad cifrada (IEEE1667)

  • Peso: máx. 66g

  • Fiabilidad: MTBF: 1,5 millones de horas

  • TBW: 150 TBW

  • Consumo energético:
    • Lectura/Escritura activa (Promedio): máx. W 3,7 (2TB) /máx. W 4,7 (2TB)

    • Inactivo: máx. 60mW

    • Suspensión del dispositivo: 5mW(2TB)

  • Características de apoyo: TRIM (soporte requerido del sistema operativo), recolección de basura, S.M.A.R.T

  • Temperatura
    • Funcionamiento: 0 °C a 70 °C

    • No funciona: -40 °C a 85 °C

  • Humedad: 5% a 95%, sin condensación

  • Vibración:
    • No funciona: 20 ~ 2000Hz, 20G

  • Choque:
    • No funciona: 1500G, duración 0,5 M seg, 3 ejes





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