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SAMSUNG-disco duro interno de estado sólido, SSD 870 EVO, 250GB, 500GB, 1TB, 2TB, HDD, SATA3, 2,5 pulgadas, portátil, PC de escritorio, MLC

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Caractéristique
:


Aplicación: PC cliente


Capacidad: 4.000 Go (1 go = 1 miliard d'octets d'idema)

* La capacité disponible réelle peut être réduite (en raison du formatage, du partitionnement, du système d'exploitation, de l'application ou de toute autre profession nécessaire)


Factor de forma: 2,5 pouces


Interfaz: Interfaz SATA 6 Gb/s (compatible con interfaces SATA 3 Gb/s y SATA 1,5 Gb/s)


Dimensiones (lxhxp): 100X69.85X6.8 (mm)


Poids: entorno 48,0G


Memoria flash NAND: Samsung, 3 bits, MLC, 2, 2, 2


Controlador: Controlador Samsung MKX


Caché: Samsung 4 SDRAM DDR4 de potencia defectuosa


Función spéciale
:


Prise a cargo: prise en charge of the garniture, S.M.A.R.T, Collecte des ordures, prise en charge du WWN, Mode Veille de l'appareil


Seguridad: cryptage AES 256 bits (clase 0) TCG/Opale IEEE1667 (piloto de cryptage)


Rendimiento
:


Conferencia séquentielle: jusqu'à 560 Mo/s

* Les performances peuvent varier en raison du Matériel et de la Configuration du système


Écriture séquentielle: jusqu'à 530 Mo/s

* Les performances peuvent varier en raison du Matériel et de la Configuration du système

** La medida es efectiva con la turboécriture Intelligent activée.


4KB lecture aléatoire (QD32): lecture aléatoire jusqu'à 98.000 IOPS

* Les performances peuvent varier en raison du Matériel et de la Configuration du système

** La medida es efectiva con la turboécriture Intelligent activée.


4KB Écriture aléatoire (QD32): Écriture aléatoire jusqu'à 88.000 IOPS

* Les performances peuvent varier en raison du Matériel et de la Configuration du système

** La medida es efectiva con la turboécriture Intelligent activée.


4KB lecture aléatoire (QD1): lecture aléatoire jusqu'à 13.000 IOPS

* Les performances peuvent varier en raison du Matériel et de la Configuration du système

** La medida es efectiva con la turboécriture Intelligent activée.


4KB Écriture aléatoire (QD1): Écriture aléatoire jusqu'à 36.000 IOPS

* Les performances peuvent varier en raison du Matériel et de la Configuration du système

** La medida es efectiva con la turboécriture Intelligent activée.


Certificación Économie d'énergie:


Moyenne consumo (niveau Système)

* Moyenne: 2,5 W

* Max: 5,0 W (Crête)

* Basado en el material y configuración diferente del sistema, la Consommation d'énergie réelle peut varier


Consommation Électrique (Veille): Máximo: 35mW

* Basado en el material y configuración diferente del sistema, la Consommation d'énergie réelle peut varier


Tensión admisible: 5V ± 5%


Fiabilité: 1,5 millones de euros (Temps Moyen entre les pannes)


Temperatura de funcionamiento: 0-70 °C


Antivibración: 1.500G y 0,5 ms (demi-sinus)


Logiciel
:


Lógico: Logiciel de gestión de magicien SSD Samsung

* La lógica de la migración de données para la puesta a nivel SSD



Veuillez Lire atención, ¡gracias!


1. Todos los productos son 100% auténticos, autorización original, Dirección General del agente.

2. ¡Le SAMSUNG a Quatre Grands Sites de Production: La Chine, la Corée du Sud, La Thaïlande, les Filipinas! Livraison aléatoire de tous les produits.

3. Producto a la versión china y a la versión inglesa, Tous expédiés au hasard, ne vous inquietétez Pas, Tous sont 100% originales.



Discos de semiconductores de alta gama


La Famille de Disques SSD la plus vendue de Samsung va a ajouter de nouveaux

Productos en 2021. Le 870 EVO hérite du Disque dur à semiconducteurs de Samsung, ce qui améliore globalement les indicateurs de performance, La fiabilité

Y la compatibilidad. Répondre aux besoins Divers des Créateurs de contenu

Et des Professionnels de l'informatique dans la Vie et le travail.


* Données basées sur le Groupe NPD (janvier 2015 à Avril 2020, Données du Marché américain) et le Groupe GFK (janvier 2015 à Avril 2020, Données pour les Cinq Pays de l'ue) septembre 2018 à Avril 2020, Données sur le Marché Chinois et rapports d'enquête sur les Produits de la serie 850 EVO et 860 EVO.


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