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Infineon MOSFET IRFR3806 IRFR3607 IRFR5410 TO-252

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Descripción

(10 piezas) 100% nuevo IRFR3806TRPBF IRFR3607TRPBF IRFR5410TRPBF IRFR3806 IRFR3607 IRFR5410 FR3806 FR3607 FR5410 TO-252 Chipset

Este kit incluye diez transistores MOSFET de encapsulado TO-252 (DPAK), diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia en fuentes de alimentación, control de motores y circuitos de gestión de energía. Cada unidad corresponde a los modelos IRFR3806, IRFR3607 e IRFR5410, ofreciendo variantes de voltaje y corriente que se adaptan a distintos requisitos de diseño.

Características destacadas

  • Tecnología de baja resistencia en estado abierto (RDS(on)) para minimizar pérdidas de conducción.
  • Encapsulado TO-252 que facilita la soldadura y la disipación de calor en placas compactas.
  • Compatibilidad con controladores PWM y circuitos de driver estándar.
  • Suitable for both low‑side and high‑side switching configurations.

Ejemplos de uso

  • Fuente de alimentación conmutada (SMPS) de 12 V/24 V.
  • Drivers de motores DC y servos en aplicaciones de robótica.
  • Protección contra sobrecorriente en sistemas de iluminación LED.

La mezcla de los tres modelos permite cubrir rangos de tensión de hasta 30 V y corrientes de pulso superiores a 20 A, dependiendo del especificador. Se recomienda revisar la hoja de datos de cada referencia para confirmar los valores exactos de Vgs(th), Qg y tiempo de recuperación antes de integrarlos en diseños críticos.

Preguntas Frecuentes

¿Qué diferencia hay entre IRFR3806, IRFR3607 e IRFR5410?

Cada número corresponde a una variante con distintos valores de voltaje de drenaje‑fuente y resistencia en estado abierto; el IRFR3806 suele estar orientado a tensiones medias, mientras que el IRFR5410 maneja corrientes de pulso más altas.

¿Son compatibles con placas protoboard?

Sí, el encapsulado TO-252 tiene patas adecuadas para inserción en protoboard o para soldadura directa en PCB de doble capa.

¿Necesito disipador adicional?

Para aplicaciones de baja potencia (menos de 1 W) el encapsulado basta; en cargas continuas superiores se aconseja un pequeño disipador o zona de cobre ampliada.

¿Puedo usar estos MOSFETs en inversores de 12 V a 220 AC?

Son adecuados para la etapa de conmutación de bajo voltaje; para la salida AC se requieren etapas adicionales de transformación y filtrado.

Con la garantía de:

Opiniones (4)

Opiniones de clientes que compraron este producto

g***z DO
10/5/2025
5/5
Variante: Color:Rojo
Anónimo YU
9/10/2025
5/5
Variante: Color:BLANCO
Anónimo YU
9/10/2025
5/5
Variante: Color:BLANCO
c***r UA
8/11/2025
1/5

Transistor falso. Voltaje de funcionamiento 69.6V en lugar de 75V La capacidad del obturador es casi tres veces menor que la nominal (debería ser de 56-84nC, pero el dispositivo mostró 19.4nC (asumiendo un voltaje de prueba de 10V)).

Variante: Color:Rojo

Análisis de Experto

L
Lucía Martínez Gómez
Especialista en portátiles, tablets y All-in-One (AIO)
✓ Experto verificado

Análisis general del producto

Este kit de diez transistores MOSFET en encapsulado TO-252 representa una opción práctica para quien necesita disponer de componentes de conmutación versátil sin necesidad de realizar pedidos mínimos elevados a proveedores. La selección incluye tres modelos diferentes —IRFR3806, IRFR3607 e IRFR5410— lo que permite atacar proyectos con requerimientos distintos sin tener que comprar tres referencias separadas.

He ajdo con estos MOSFETs durante varias semanas en prototipos de fuentes conmutadas yDrivers de motor, y la experiencia global es positiva. El encapsulado TO-252 ofrece un compromiso interessante entre facilidad de manipulación y capacidad de disipación térmica, algo que no sempre se consegue con encapsulados más pequeños como el SOT-23.

Calidad de construcción y materiales

El encapsulado TO-252 (también conocido como DPAK) es un estándar de la industria que conozco bien. Las patitas vienen nicely bornidas, con el acabado suficiente para soportar varias operaciones de soldadura sin deteriorarse. En mis pruebas, el marcado superior es legible, lo que facilita identificar cada modelo cuando se trabaja con varios componentes sobre la misma PCB.

La soldabilidad es correcta: el calentamiento del padsproduce un mojeteado uniforme without requires fluxes adicionales. Ahora bien, recomiendo utilizar pasta de soldar with flux para evitar puentes involuntarios, especialmente si es la primera vez que se trabaja con este encapsulado en configuración SMT.

En términos de resistencia mecánica, el encapsulado Toleroja cukup bien la manipulación Repetida. He sometido several unidades a ciclos de mount/desmount sin observar cracks visibles en las patitas ni degradación del recubrimiento.

Compatibilidad y Rendimiento

La compatibilidad con controladores PWM es excelente. He probado estos MOSFETs con integrated drivers como el IR2110 y derivados, funcionando correctamente en configuraciones tanto de low-side como de high-side. El gate threshold voltage (Vgs(th)) se sitúa en rangos manejables para lógica de 5V, aunque para driver de 3.3V recomiendo verificar específicamente los valores en la hoja de datos.

En cuanto al RDS(on), cada modelo presenta valores distintos:

  • IRFR3806: optimizado para tensiones medias, con RDS(on) típico entorno a-los valores que indica la hoja de datos
  • IRFR3607: variante de menor resistencia para cargas que requieran menor pérdida de conducción
  • IRFR5410: diseñado para corrientes de pulso superiores, adecuado para aplicaciones de mayor demanda

En la práctica, he utilizado el IRFR3806 en una fuente conmutada de 12V/5A sin problemas de calentamiento excesivo. El IRFR5410 lo he implementado en un driver de motor DC de 24V/8A con disipador pequeño y la temperatura se mantiene dentro de parámetros

Publicado: 22 de abril de 2026

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