Descripción
Infineon IHW30N – Transistor IGBT de potencia
El Infineon IHW30N – Transistor IGBT de potencia es un semiconductor discreto activo de la familia H30/IHW30, destinado a integrarse en circuitos electrónicos de potencia. Puede interesar a quienes diseñan o reparan equipos que emplean transistores IGBT, siempre que la variante concreta sea compatible con el circuito.
La referencia agrupa varios modelos. Como no se indican valores eléctricos, encapsulado ni asignación de terminales, conviene identificar el código completo y contrastarlo con la documentación técnica antes de elegir o instalar una unidad.
Especificaciones técnicas
| Característica | Detalle |
|---|---|
| Marca indicada | SUHMS |
| Familia de productos | Serie H30/IHW30 |
| Tipo de componente | Activo / semiconductor discreto |
| Categoría | Componentes electrónicos y suministros |
| Variantes disponibles | IHW30N110R3, H30R1103, IHW30N120R2, H30R1202, IHW30N120R3, H30R1203, IHW30N135R3, H30R1353, IHW30N135R5, H30PR5, IHW30N160R2, IHW30N160R5 |
Uso recomendado
Está orientado a proyectos y reparaciones de electrónica de potencia en los que el diseño requiera un IGBT de esta familia. Antes de incorporarlo, comprueba que la referencia exacta coincida con la requerida por el circuito; por ejemplo, no des por equivalentes dos modelos con sufijos distintos solo porque compartan parte del nombre.
La elección debe basarse en la hoja de datos de la variante concreta y en los requisitos del equipo. Verifica especialmente los parámetros eléctricos, el encapsulado y la disposición de terminales, ya que esos detalles no aparecen en la información disponible.
Limitaciones a tener en cuenta
- La denominación reúne distintas variantes; no se aportan datos para determinar sus diferencias ni su equivalencia.
- No se indican tensión, corriente, potencia, velocidad de conmutación, dimensiones ni tipo de encapsulado.
- La marca consignada es SUHMS, aunque el nombre del producto incluye «Infineon»; confirma el fabricante y la identificación del componente antes de comprarlo si necesitas una pieza original de una marca concreta.
Cuidado y mantenimiento
- Manipula el componente con cuidado y evita tocar sus terminales innecesariamente.
- Protégelo de golpes, humedad y contaminación durante el almacenamiento y el montaje.
- Sigue las precauciones de descarga electrostática habituales para semiconductores sensibles.
- Antes de soldarlo o instalarlo, confirma la orientación y la distribución de terminales en la documentación de la variante exacta.
Preguntas Frecuentes
¿Qué variantes aparecen en esta serie?
Se enumeran IHW30N110R3, H30R1103, IHW30N120R2, H30R1202, IHW30N120R3, H30R1203, IHW30N135R3, H30R1353, IHW30N135R5, H30PR5, IHW30N160R2 e IHW30N160R5.
¿Las variantes son intercambiables?
No se puede confirmar con los datos disponibles. Comprueba las especificaciones y la asignación de terminales de cada referencia antes de sustituir una por otra.
¿Qué datos necesito para seleccionar el modelo correcto?
Como mínimo, la referencia completa y la hoja de datos correspondiente, además de los requisitos eléctricos y mecánicos del circuito donde se instalará.
Con la garantía de:
Opiniones (1)
Opiniones de clientes que compraron este producto
Análisis de Experto
Análisis general del producto
Mi valoración técnica de esta referencia es que puede ser adecuada para una reparación o un diseño de electrónica de potencia, pero no se puede evaluar como si fuera un componente único: el nombre agrupa variantes con valores eléctricos distintos. En esta familia hay IGBT de conducción inversa con diodo integrado, una combinación útil en ciertas topologías de conmutación resonante. Por ejemplo, la referencia IHW30N110R5 se especifica para 1100 V y hasta 30 A a 100 °C; esos datos no deben trasladarse automáticamente a las versiones R2, R3 o a otros números de tensión de la serie.
Esta distinción importa en un caso muy cotidiano de taller: sustituir un transistor averiado en una placa de inducción. Que dos piezas compartan el prefijo IHW30N no demuestra que tengan las mismas pérdidas, velocidad de conmutación ni margen de tensión. Un recambio incorrecto puede funcionar en una prueba breve y fallar después con temperatura o carga elevada.
Calidad de construcción y materiales
El encapsulado, el aislamiento de la pestaña y la disposición de terminales son datos esenciales, no detalles secundarios. La variante IHW30N110R5 se ofrece en formato TO-247-3, habitual en componentes de potencia con montaje pasante y disipador, pero no asumiría que todas las referencias agrupadas comparten ese encapsulado sin comprobar su hoja técnica.
También revisaría cuidadosamente la identificación y procedencia. La referencia comercial combina el nombre Infineon con la marca indicada SUHMS; esa diferencia merece aclaración antes de comprar si se necesita un componente original de Infineon y con trazabilidad. En semiconductores de potencia, el marcado exterior por sí solo no sustituye la verificación del fabricante y del código completo.
Para manipularlo, usaría protección contra descargas electrostáticas, evitaría doblar las patas junto al cuerpo y comprobaría la planitud y el contacto térmico con el disipador. La pasta térmica debe aplicarse en una capa fina y uniforme; apretar en exceso el tornillo puede dañar el encapsulado o la placa.
Compatibilidad y rendimiento
El IGBT no se selecciona únicamente por la corriente nominal. Antes de montarlo contrastaría, como mínimo, la tensión colector-emisor, la corriente en las condiciones térmicas reales, la energía de conmutación, la carga de puerta, la tensión de control y el diodo integrado. En una placa de inducción, por ejemplo, el comportamiento del diodo y las pérdidas durante la conmutación pueden ser tan relevantes como la cifra de corriente.
La hoja de datos de IHW30N110R5 la presenta como un IGBT de conducción inversa con diodo monolítico, orientado a topologías resonantes de calentamiento por inducción. Eso lo diferencia de un IGBT convencional acompañado de un diodo externo, aunque no significa que sea intercambiable sin más: hay que respetar la estrategia de conmutación y las condiciones de accionamiento previstas por el circuito.
En una estación de reparación, empezaría midiendo el componente retirado y verificando el circuito de puerta, las resistencias, el diodo y el estado del disipador. Sustituir solo el IGBT sin buscar la causa de la avería puede terminar en una segunda rotura. En un prototipo, haría las primeras pruebas con limitación de corriente y controlaría la temperatura bajo carga, en vez de dar por buena la reparación tras una comprobación en vacío.
Las variantes de mayor tensión tampoco son equivalentes por compartir familia. Como ejemplo, IHW30N160R5 se comercializa como una pieza de 1600 V en TO-247-3; sus valores no deben confundirse con los de IHW30N110R5.
Puntos fuertes y aspectos mejorables
Puntos fuertes:
- La familia contempla variantes para distintos requisitos de tensión.
- En las versiones de conducción inversa, el diodo integrado puede simplificar ciertas etapas de potencia.
- El formato TO-247-3 de algunas referencias facilita el montaje con disipador en diseños pasantes.
Aspectos mejorables:
- La denominación agrupada dificulta saber qué pieza concreta se está comprando.
- Sin confirmar fabricante, código completo y hoja técnica, no es posible valorar autenticidad ni equivalencia.
- No conviene comparar estas variantes con MOSFET u otros IGBT solo por corriente máxima: pérdidas, frecuencia de trabajo y requisitos del controlador cambian el resultado.
Veredicto del experto
Lo consideraría una opción potencialmente apropiada para una reparación de electrónica de potencia únicamente tras identificar la referencia completa y confirmar su hoja de datos. No atribuiría a todo el conjunto de modelos un rendimiento único ni recomendaría una sustitución basada solo en el parecido del nombre. La comprobación del encapsulado, el pinout, el fabricante y las condiciones de trabajo es imprescindible; en un equipo de red o una placa de inducción, también lo es diagnosticar la etapa de control y refrigeración antes de instalar el recambio.
3,49 € 4,72 €
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